大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网络安(ān)全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对(duì)外(wài)开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市不是省油的灯是什么意思，没有一个省油的灯是什么意思场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波(bō)龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采(cǎ不是省油的灯是什么意思，没有一个省油的灯是什么意思i)购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiā不是省油的灯是什么意思，没有一个省油的灯是什么意思ng)关公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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